![](/media/lib/87/n-hacker-b0a79cb07edbf7a0c2c641156eb4bbfa.jpg)
Zdalny atak na układy DRAM
30 lipca 2015, 10:23Francuscy i austriaccy eksperci opublikowali dokument, w którym opisują, w jaki sposób można przeprowadzić zdalny atak na układy pamięci DRAM. Atak wykorzystuje znany od lat problem o nazwie "Rowhammer". Problem związany jest z gęstym upakowaniem komórek pamięci w układach DRAM, co powoduje, że są one niezwykle podatne na wewnętrzne zakłócenia
![Pamięć ciekłokrystaliczna](/media/lib/65/liquid-crystal-memory-b781b3973f1ee1e7bb9eda9010a00d8b.jpg)
Nadchodzą pamięci ciekłokrystaliczne
23 czerwca 2010, 16:04Co zamiast twardych dysków? Na razie mamy tylko pamięci flash. Trwają jednak poszukiwania i prace nad technologiami, które lepiej sprawdziłyby się w urządzeniach przenośnych. Być może pojawił się kolejny kandydat: ciekłokrystaliczne pamięci holograficzne.
![](/media/lib/521/n-starszapani-b81c1f31f05734cc246df9a5021b0e62.jpg)
Superstaruszkowie mają neurony większe niż osoby o 40 lat młodsze. Nie rozwija się u nich alzheimer
5 października 2022, 08:17U osób w wieku ponad 80 lat, które zachowały świetną pamięć, neurony w korze śródwęchowej – odpowiedzialnej za procesy związane z pamięcią – są znacząco większe niż u ich rówieśników, osób na wczesnych etapach choroby Alzheimera, a nawet niż u osób o 20–30 lat młodszych. Takie wnioski płynął z przeprowadzonych po śmierci badań mózgów tzw. superstaruszków.
Samsung prezentuje superszybkie układy pamięci
28 czerwca 2006, 09:26Samsung Electronics poinformował o zbudowaniu 2-gigabitowej kości flash OneNAND w technologii 60 nanometrów. Koncern twierdzi, że jest to najbardziej wydajny układ tego typu.
![](/media/lib/83/appenzeller-memory-65a2b6b00aedff52494da297385258ac.jpg)
FeTRAM, kolejny konkurent dla pamięci flash
3 października 2011, 15:54Na Purdue University powstaje nowy rodzaj układów pamięci, które mają być szybsze od obecnie istniejących rozwiązań, a jednocześnie zużywać znacznie mniej energii niż kości flash. Pamięci łączą krzemowe nanokable z polimerem „ferroelektrycznym", który zmienia polaryzację pod wpływem pola elektrycznego.
Czwarty element
1 maja 2008, 12:26Naukowcy z należącego do HP Information and Quantum System Lab skonstruowali nowy typ podstawowego elementu elektronicznego. Posłuży on do zbudowania energooszczędnych kości pamięci, które przechowują dane także po odcięciu dopływu energii.
![© Intel](/media/lib/232/n-1206015741_133028-708de2b5e1201ffe3345ec4165ffd423.jpeg)
Intel szykuje rynkowy debiut Optane
20 listopada 2015, 11:02W przyszłym roku na rynek trafią pierwsze urządzenia korzystające z nowej intelowskiej technologii Optane. Urządzeniami tymi będą szybkie dyski SSD i układy pamięci DIMM.
![](/media/lib/65/crystal_memory-0312b08ab9d70af5972b04ce2f49c6d6.jpg)
Najdoskonalsza pamięć kwantowa
28 czerwca 2010, 18:45Naukowcy z The Australian National University są autorami najbardziej efektywnej jak dotychczas kości kwantowej pamięci. Udało im się zatrzymać i kontrolować światło oraz manipulować elektronami. Wszystko w krysztale schłodzonym do temperatury -270 stopni Celsjusza.
Notebooki z hybrydowymi dyskami twardymi
16 października 2006, 10:37W piątek, 13 października, Fujitsu rozpoczęło sprzedaż notebooków wyposażonych w hybrydowe dyski twarde. Na razie oferta skierowana jest do firm, a koncern nie spodziewa się dużych zamówień, dopóki nie spadną ceny kości NAND wykorzystywanych przy produkcji wspomnianych dysków.
![](/media/lib/98/n-nand-ca7f63a2487776cde3b03f737cb9c97d.jpg)
Elpida wyprodukowała ReRAM
25 stycznia 2012, 09:39Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity.